Številka izdelka proizvajalca:
BSP373 E6327
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSP373 E6327-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Podroben opis:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Zaloga:
12800525
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSP373 E6327 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSP373E6327
SP000011121
BSP373 E6327-DG
BSP373E6327T
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STN2NF10
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
7551
ŠTEVILKA DELA
STN2NF10-DG
CENA ENOTE
0.41
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD26N06S2L35ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD50N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
